搜索结果：7P20
共 3 条- 匹配型号3
- 有数据手册3
- 涉及品牌3
产品搜索结果共 3 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-200，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):645，连续漏极电流ID(A):-7A | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET，MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | TO252；P—Channel沟道,-200V；-8.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款采用Trench技术是一款单通道功率场效应晶体管，适用于需要高耐压、高效率的电源模块和驱动模块。 | 数据手册1 | 查看详情 |
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