Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:30N06

Найдено: 32
  • С даташитом29
  • Производителей18

Результаты поискаВсего: 32

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制

Даташит4
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

本品为消费级N沟道MOSFET,采用高效TO-252-2L封装。具备60V耐压及30A电流承载能力,适用于各类中低压开关电路,能有效提升系统能效,稳定可靠,是您电子产品设计的理想选择。

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит3
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

用于高效电能转换,提供高电流、低阻开关,适用于电源管理及电机驱动

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит9
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

30N06

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

适用于电源开关和信号控制

Single FETs, MOSFETs

Даташит1
Single FETs, MOSFETs

Даташит1
Single FETs, MOSFETs

Даташит1
Single FETs, MOSFETs

30N06 TO-252场效应管

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит1
Single FETs, MOSFETs

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA;应用领域:功率开关、高频开关、不间断电源等。

Даташит4
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ)

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

Даташит7
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N沟道,VDSS= 60V,ID=30A,RDS(on) : 0.03 Ω (Max) @VG=10V

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

Даташит1

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.