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60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制

本品为消费级N沟道MOSFET，采用高效TO-252-2L封装。具备60V耐压及30A电流承载能力，适用于各类中低压开关电路，能有效提升系统能效，稳定可靠，是您电子产品设计的理想选择。

用于高效电能转换，提供高电流、低阻开关，适用于电源管理及电机驱动

30N06

适用于电源开关和信号控制

30N06 TO-252场效应管

N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ)

适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

N沟道，VDSS= 60V,ID=30A，RDS(on) : 0.03 Ω (Max) @VG=10V

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；