Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:1N5817WS

Найдено: 18
  • С даташитом14
  • Производителей16

Результаты поискаВсего: 18

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Single Diodes

Даташит4
Single Diodes

Даташит2
Single Diodes

Даташит3
Single Diodes

肖特基二极管是一种高性能的半导体器件,具有快速开关特性和低正向电压降的特点。本款肖特基二极管的最大连续正向电流IF为1A,最大反向电压VR为20V,正向电压降VF仅为0.45V,在微小的封装内实现了高效的能量转换。反向漏电流IR在室温下不超过1000微安,体现了良好的阻断性能。此外,瞬态峰值电流IFSM可达25A,适用于需要高速度和高效率的电路设计中,如高频开关电源、信号整流以及其他要求严苛的电子设备中。

Даташит2
Single Diodes

Даташит1
Single Diodes

Даташит4
Single Diodes

SJ(SJ表示丝印)

Даташит2
Single Diodes

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

Даташит1

Single Diodes

独立式,1A/20V,正向压降:750mV@3A,适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

Даташит1
Single Diodes

1N5817WS

Single Diodes

肖特基二极管 1N5817WS

Даташит1
Switching Diodes

1N5817WS — 二极管(东沃电子 DOWOSEMI)

Даташит1
Single Diodes

肖特基 1N5817WS

Даташит1
Single Diodes

Schottky Diodes

Даташит1
Single Diodes

Даташит1
Single Diodes

特性:金属硅结,多数载流子传导。 过压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

Single Diodes

特性:金属硅结,多数载流子传导。 过压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.