Результаты поиска:1N5817WS
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| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
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| Single Diodes | Даташит4 | |||||
| Single Diodes | Даташит2 | |||||
| Single Diodes | Даташит3 | |||||
| Single Diodes | 肖特基二极管是一种高性能的半导体器件,具有快速开关特性和低正向电压降的特点。本款肖特基二极管的最大连续正向电流IF为1A,最大反向电压VR为20V,正向电压降VF仅为0.45V,在微小的封装内实现了高效的能量转换。反向漏电流IR在室温下不超过1000微安,体现了良好的阻断性能。此外,瞬态峰值电流IFSM可达25A,适用于需要高速度和高效率的电路设计中,如高频开关电源、信号整流以及其他要求严苛的电子设备中。 | Даташит2 | ||||
| Single Diodes | Даташит1 | |||||
| Single Diodes | Даташит4 | |||||
| Single Diodes | SJ(SJ表示丝印) | Даташит2 | ||||
| Single Diodes | 肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。 | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | 独立式,1A/20V,正向压降:750mV@3A,适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。 | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | 1N5817WS | |||||
| Single Diodes | 肖特基二极管 1N5817WS | Даташит1 | ||||
| Switching Diodes | 1N5817WS — 二极管(东沃电子 DOWOSEMI) | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | 肖特基 1N5817WS | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | Schottky Diodes | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | Даташит1 | |||||
| Single Diodes | 特性:金属硅结,多数载流子传导。 过压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用 | |||||
| Single Diodes | 特性:金属硅结,多数载流子传导。 过压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用 |
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