TDSEMIC(拓电半导体)Китай
1N5817W SJ-TD(0.66MIL)
Single Diodes特性：金属硅结，多数载流子传导。 过压保护。 低功耗，高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение20 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения750 mVМакс. · 1A，3A
| Питание | |
|---|---|
| 整流电流 | 1A |
| Другое | |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 450mV@1A；750mV@3A |
| 直流反向耐压(Vr) | 20V |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.