ZXTN19020CFFTA

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleSOT23F

TRANS NPN 20V 7A SOT23F

20V NPN силовой транзистор с высоким усилением в корпусе SOT23F, соответствует AEC-Q101, RoHS, без галогенов.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN

Напряжение коллектор-эмиттер25 VMax: — V (IC=10mA)

Ток коллектора7 AМакс.

Коэффициент усиления hFE45 ~ 500Max: 500 (IC=0.1A，VCE=2V)，Max: — (IC=2A，VCE=2V)，Max: — (IC=7A，VCE=2V)，Max: — (IC=15A，VCE=2V)

Мощность1.5 WМакс.

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 26

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Тип	NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (база открыта)	Min: 20 V, Typ: 25 V, Max: — V (IC=10mA)
Непрерывный ток коллектора	7 A
Статический коэффициент передачи тока	Min: 200, Typ: 350, Max: 500 (IC=0.1A, VCE=2V); Min: 180, Typ: 340, Max: — (IC=2A, VCE=2V); Min: 100, Typ: 220, Max: — (IC=7A, VCE=2V); Min: 45, Typ: 95, Max: — (IC=15A, VCE=2V)
Мощность рассеивания	1.5 W
Корпус	SOT23F
Рабочая температура	-55°C to +150°C
Класс	AEC-Q101
RoHS	Compliant
Без галогенов	Yes
Напряжение коллектор-база	65 V
Напряжение коллектор-эмиттер (прямое блокирование)	65 V
Напряжение эмиттер-коллектор (обратное блокирование)	4.5 V
Напряжение эмиттер-база	7 V
Пиковый импульсный ток	15 A
Ток базы	1 A
Насыщающее напряжение коллектор-эмиттер	Typ: 23 mV, Max: 30 mV (IC=1A, IB=100mA); Typ: 45 mV, Max: 65 mV (IC=1A, IB=10mA); Typ: 55 mV, Max: 70 mV (IC=2A, IB=40mA); Typ: 135 mV, Max: 175 mV (IC=7A, IB=280mA)
Насыщающее напряжение база-эмиттер	Typ: 960 mV, Max: 1050 mV (IC=7A, IB=280mA)
Напряжение включения база-эмиттер	Typ: 840 mV, Max: 950 mV (IC=7A, VCE=2V)
Частота перехода	Typ: 150 MHz (IC=50mA, VCE=10V, f=50MHz)
Входная емкость	Typ: 315 pF (VEB=0.5V, f=1MHz)
Выходная емкость	Typ: 40 pF, Max: 50 pF (VCB=10V, f=1MHz)
Время задержки	Typ: 135 ns (VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA)
Время нарастания	Typ: 117 ns (VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA)
Время хранения	Typ: 285 ns (VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA)
Время спада	Typ: 88 ns (VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA)

Все параметры (17)РазвернутьСвернуть

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)	7 A
Power - Max	1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition	150MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C~150°C(TJ)
Package	Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case	SOT-23-3 Flat Leads
Supplier Device Package	SOT-23F
Другое
Base Product Number	ZXTN19020
Mfr	Diodes Incorporated
Product Status	Active
Series	-
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	175mV @ 280mA, 7A

Распиновка и корпус

Top View Pin Configuration — Корпус: **SOT23F**

Вывод	Название	Назначение	Источник
1		Коллектор (C)
2		Эмиттер (E)
3		База (B)

Изображения

Фото · Каталог ChipCross

Документы

DatasheetDatasheet · 334.3 KB · 2026-11-03

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.