ZXTN19020CFFTA

TRANS NPN 20V 7A SOT23F

20V NPN 高增益功率晶体管，SOT23F 封装，AEC-Q101 认证，RoHS 合规，无卤素。规格书核对

类型NPN

集射极耐压25 V

集电极电流7 A

放大倍数 hFE45 ~ 500

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类型NPN

集射极耐压25 VMax: — V (IC=10mA)

集电极电流7 A最大

放大倍数 hFE45 ~ 500Max: 500 (IC=0.1A，VCE=2V)，Max: — (IC=2A，VCE=2V)，Max: — (IC=7A，VCE=2V)，Max: — (IC=15A，VCE=2V)

功率1.5 W最大

26 项

参数	值和测试条件	出处
类型	NPN
集射极耐压	Min: 20 V, Typ: 25 V, Max: — V (IC=10mA)
集电极电流	7 A
放大倍数 hFE	Min: 200, Typ: 350, Max: 500 (IC=0.1A, VCE=2V); Min: 180, Typ: 340, Max: — (IC=2A, VCE=2V); Min: 100, Typ: 220, Max: — (IC=7A, VCE=2V); Min: 45, Typ: 95, Max: — (IC=15A, VCE=2V)
功率	1.5 W
封装	SOT23F
工作温度	-55°C to +150°C
等级	AEC-Q101
RoHS	Compliant
无卤	Yes
集基极耐压	65 V
集射极耐压 (正向阻断)	65 V
发射极-集电极耐压 (反向阻断)	4.5 V
发射极-基极耐压	7 V
峰值脉冲电流	15 A
基极电流	1 A
集射极饱和压降	Typ: 23 mV, Max: 30 mV (IC=1A, IB=100mA); Typ: 45 mV, Max: 65 mV (IC=1A, IB=10mA); Typ: 55 mV, Max: 70 mV (IC=2A, IB=40mA); Typ: 135 mV, Max: 175 mV (IC=7A, IB=280mA)
基射极饱和压降	Typ: 960 mV, Max: 1050 mV (IC=7A, IB=280mA)
基射极导通电压	Typ: 840 mV, Max: 950 mV (IC=7A, VCE=2V)
特征频率	Typ: 150 MHz (IC=50mA, VCE=10V, f=50MHz)
输入电容	Typ: 315 pF (VEB=0.5V, f=1MHz)
输出电容	Typ: 40 pF, Max: 50 pF (VCB=10V, f=1MHz)
延迟时间	Typ: 135 ns (VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA)
上升时间	Typ: 117 ns (VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA)
存储时间	Typ: 285 ns (VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA)
下降时间	Typ: 88 ns (VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA)

全部参数（17 项）展开收起

电源
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)	7 A
Power - Max	1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition	150MHz
环境与封装
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C~150°C(TJ)
Package	Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case	SOT-23-3 Flat Leads
Supplier Device Package	SOT-23F
其他
Base Product Number	ZXTN19020
Mfr	Diodes Incorporated
Product Status	Active
Series	-
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	175mV @ 280mA, 7A

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。