VBsemi(微碧半导体)Китай
XP161A1265PR-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока6.8 A
Сопротивление в открытом состоянии30 mΩМакс. · 2.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |