XP161A1265PR-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6.8 A
导通电阻30 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6.8 A
导通电阻30 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |