XND1180是一款高功率反射式射频开关芯片。芯片在0.2GHz~5GHz频带内具有低插入损耗、低功耗、高隔离度、和高功率的
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| 封装 | DFN6L |
| 封装尺寸 | 2×2×0.75 mm³ |
| 工作温度 | -40℃～85℃ |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.
XND1180是一款高功率反射式射频开关芯片。芯片在0.2GHz~5GHz频带内具有低插入损耗、低功耗、高隔离度、和高功率的
| 封装 | DFN6L |
| 封装尺寸 | 2×2×0.75 mm³ |
| 工作温度 | -40℃～85℃ |
К этому компоненту пока не привязаны документы.