VBsemi(微碧半导体)Китай
VBZA4953A
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOP8；2个P—Channel沟道；-30V；-6A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Пороговое напряжение1 VМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| Другое | |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |