VBZA4953A
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；2个P—Channel沟道；-30V；-6A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压30 V
阈值电压1 V
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沟道P 沟道
耐压30 V
阈值电压1 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 其他 | |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
SOP8；2个P—Channel沟道；-30V；-6A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 其他 | |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |