VBsemi(微碧半导体)Китай
TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока20 A
Пороговое напряжение1 VМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| Другое | |
| 数量 | 1个P沟道 |