VBE2658A
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
阈值电压1 V
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
阈值电压1 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |