VBsemi(微碧半导体)Китай
STY140NS10-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single特性：沟槽功率MOSFET。 具有低热阻的新封装。 100% Rd测试
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока150 A
Сопротивление в открытом состоянии6 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |