VBsemi(微碧半导体)China
STY140NS10-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single特性：沟槽功率MOSFET。 具有低热阻的新封装。 100% Rd测试
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current150 A
On-resistance6 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |