Поиск аналогов электронных компонентов
STW9N150
STMicroelectronicsШвейцария

STW9N150

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-247-3

MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1.5 kV
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии2.5 ΩМакс. · 4A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)320W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3
Другое
Base Product NumberSTW9
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3255 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 4A, 10V
SeriesPowerMESH™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы