Поиск аналогов электронных компонентов
SI(深爱)Китай

SIF4N30E(TO-92&251T&251S&252&252T)

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流4A
VDSS-最大漏源电压300V
Vgs(th)-门槛电压3V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗2500mΩ
Другое
Pd-功率耗散45W
Qg-栅极电荷NnC
Vgs-栅源耐压30V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.