SI(深爱)中国

SIF4N30E(TO-92&251T&251S&252&252T)

单 FET,MOSFET
查看国产替代问 AI FAE

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
ID-最大漏极电流4A
VDSS-最大漏源电压300V
Vgs(th)-门槛电压3V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗2500mΩ
其他
Pd-功率耗散45W
Qg-栅极电荷NnC
Vgs-栅源耐压30V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0

技术资料

该型号暂未收录资料。