SI4330DY-T1-E3
FET, MOSFET ArraysMOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 13. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Power - Max | 1.1W |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Другое | |
| Base Product Number | SI4330 |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 8.7A, 10V |
| Series | TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.