N-Channel MOSFET — Источник: Даташит, с. 1

SI3458DV-T1

Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTSOP-6

IC MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-PIN TSOP T/R

N-канальный 60V TrenchFET силовой MOSFET в корпусе TSOP-6, ток стока 3.2А, сопротивление канала 0.10Ом @10В, температура -55...150°C, соответствует RoHS.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток60 V

Постоянный ток стока2.5 ~ 3.2 A3.2 A (TA=25°C)，2.5 A (TA=70°C)

Сопротивление в открытом состоянии100 mΩМакс. · Max 0.10 Ω (VGS=10 V，ID=3.2 A)，Max 0.13 Ω (VGS=4.5 V，ID=2.8 A)

Пороговое напряжение1 VМин. · Min 1 V (VDS=VGS，ID=250 μA)

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 19

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Канал	N-Channel
Напряжение сток-исток	60 V
Непрерывный ток стока	3.2 A (TA=25°C), 2.5 A (TA=70°C)
Сопротивление канала в открытом состоянии	Typ 0.085 Ω, Max 0.10 Ω (VGS=10 V, ID=3.2 A); Typ 0.110 Ω, Max 0.13 Ω (VGS=4.5 V, ID=2.8 A)
Пороговое напряжение затвора	Min 1 V (VDS=VGS, ID=250 μA)
Корпус	TSOP-6
Диапазон рабочих и температур хранения	-55 to 150 °C
Соответствие RoHS	Lead (Pb)-Free Version is RoHS Compliant
Напряжение затвор-исток	±20 V
Импульсный ток стока	15 A
Максимальная рассеиваемая мощность	2 W (TA=25°C), 1.3 W (TA=70°C)
Ток утечки затвор-подложка	Max ±100 nA (VDS=0 V, VGS=±20 V)
Ток стока при нулевом напряжении затвора	Max 1 μA (VDS=48 V, VGS=0 V); Max 50 μA (VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=150°C)
Прямая проводимость	Typ 8 S (VDS=4.5 V, ID=3.2 A)
Полный заряд затвора	Typ 8 nC, Max 16 nC (VDS=30 V, VGS=10 V, ID=3.2 A)
Сопротивление затвора	Typ 1 Ω, Max 3.9 Ω
Максимальное тепловое сопротивление переход-окружающая среда	Max 62.5 °C/W (t ≤ 5 sec); Typ 106 °C/W (Steady State)
Максимальное тепловое сопротивление переход-вывод	Typ 35 °C/W (Steady State)
Прямое напряжение диода	Max 1.2 V (IS=1.7 A, VGS=0 V)

Все параметры (7)РазвернутьСвернуть

Питание
Continuous Drain Current (TJ =150°C) TA =25°C	3.2 A
Drain-Source Voltage	60 V
Gate-Source Voltage	±20 V
Maximum Power Dissipation TA =25°C	2 W
Условия эксплуатации и корпус
Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to 150 °C
Package	TSOP-6
Другое
Drain-Source On-State Resistance (VGS=10 V, ID=3.2 A)	0.10 Ω (Max)

Распиновка и корпус

Вывод	Название	Назначение	Источник
1		Сток
2		Сток
3		Затвор
4		Исток
5		Сток
6		Сток

Изображения

Документы

DatasheetDatasheet · 93.8 KB · 2026-10-29

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.