SI3458DV-T1

IC MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-PIN TSOP T/R

N沟道60V TrenchFET功率MOSFET，TSOP-6封装，连续漏极电流3.2A，导通电阻0.10Ω@10V，工作温度-55至150°C，RoHS合规。规格书核对

沟道N 沟道

耐压60 V

连续漏极电流2.5 ~ 3.2 A

导通电阻100 mΩ

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沟道N 沟道

耐压60 V

连续漏极电流2.5 ~ 3.2 A3.2 A (TA=25°C)，2.5 A (TA=70°C)

导通电阻100 mΩ最大 · Max 0.10 Ω (VGS=10 V，ID=3.2 A)，Max 0.13 Ω (VGS=4.5 V，ID=2.8 A)

阈值电压1 V最小 · Min 1 V (VDS=VGS，ID=250 μA)

19 项

参数	值和测试条件	出处
沟道	N-Channel
耐压	60 V
连续漏极电流	3.2 A (TA=25°C), 2.5 A (TA=70°C)
导通电阻	Typ 0.085 Ω, Max 0.10 Ω (VGS=10 V, ID=3.2 A); Typ 0.110 Ω, Max 0.13 Ω (VGS=4.5 V, ID=2.8 A)
阈值电压	Min 1 V (VDS=VGS, ID=250 μA)
封装	TSOP-6
工作温度	-55 to 150 °C
RoHS	Lead (Pb)-Free Version is RoHS Compliant
栅源电压	±20 V
脉冲漏极电流	15 A
最大耗散功率	2 W (TA=25°C), 1.3 W (TA=70°C)
栅体漏电流	Max ±100 nA (VDS=0 V, VGS=±20 V)
零栅压漏极电流	Max 1 μA (VDS=48 V, VGS=0 V); Max 50 μA (VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=150°C)
正向跨导	Typ 8 S (VDS=4.5 V, ID=3.2 A)
总栅极电荷	Typ 8 nC, Max 16 nC (VDS=30 V, VGS=10 V, ID=3.2 A)
栅极电阻	Typ 1 Ω, Max 3.9 Ω
结到环境热阻	Max 62.5 °C/W (t ≤ 5 sec); Typ 106 °C/W (Steady State)
结到引脚热阻	Typ 35 °C/W (Steady State)
二极管正向电压	Max 1.2 V (IS=1.7 A, VGS=0 V)

全部参数（7 项）展开收起

电源
Continuous Drain Current (TJ =150°C) TA =25°C	3.2 A
Drain-Source Voltage	60 V
Gate-Source Voltage	±20 V
Maximum Power Dissipation TA =25°C	2 W
环境与封装
Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to 150 °C
Package	TSOP-6
其他
Drain-Source On-State Resistance (VGS=10 V, ID=3.2 A)	0.10 Ω (Max)

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。