Rohm SemiconductorЯпония
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 12. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока4.5 A
Сопротивление в открытом состоянии38 mΩМакс. · 4.5A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Другое | |
| Base Product Number | RSQ045 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 10 V |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 4.5A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |