Поиск аналогов электронных компонентов
RQ6C065BCTCR
Rohm SemiconductorЯпония

RQ6C065BCTCR

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT-23-6 Thin

MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока6.5 A
Сопротивление в открытом состоянии21 mΩМакс. · 6.5A
Пороговое напряжение1.2 VМакс. · 1mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Power Dissipation (Max)1.25W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Другое
Base Product NumberRQ6C065
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1520 pF @ 10 V
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

Изображения

Документы