Rohm SemiconductorЯпония
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 26. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока13 A
Сопротивление в открытом состоянии8.1 mΩМакс. · 13A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Другое | |
| Base Product Number | RQ3E130 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 15 V |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 13A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.