Rohm SemiconductorЯпония
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока10 A
Сопротивление в открытом состоянии133 mΩМакс. · 5A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Grade | Automotive |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Другое | |
| Base Product Number | RD3P100 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 5A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.