RD3P100SNFRATL

在产单 FET,MOSFETTO-252

MOSFET N-CH 100V 10A TO252

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流10 A
导通电阻133 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流10 A
导通电阻133 mΩ最大 · 5A
阈值电压2.5 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Power Dissipation (Max)20W (Tc)
环境与封装
GradeAutomotive
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
QualificationAEC-Q101
Supplier Device PackageTO-252
其他
Base Product NumberRD3P100
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 25 V
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs133mOhm @ 5A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

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