QNHCHIP(乾能惠)Китай
QNM50P03AY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single1个P沟道，共源配置；Vdss=-30V，Id=-40A；RDS(ON)=13.5mΩ@-4.5V;7.4mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1~-2.2V；Ciss=1390pF，Coss=251pF，Crss=217pF；Pd=26W，Qg=25nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺、100% UIS TESTED、100% ΔVds TESTED；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока40 A
Сопротивление в открытом состоянии7.4 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.