QNM50P03AY
晶体管 - FET，MOSFET - 单1个P沟道，共源配置；Vdss=-30V，Id=-40A；RDS(ON)=13.5mΩ@-4.5V;7.4mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1~-2.2V；Ciss=1390pF，Coss=251pF，Crss=217pF；Pd=26W，Qg=25nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺、100% UIS TESTED、100% ΔVds TESTED；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流40 A
导通电阻7.4 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流40 A
导通电阻7.4 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |
技术资料
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