Поиск аналогов электронных компонентов

NE85633-T1B-A

Last Time BuyTransistors - Bipolar (BJT) - RF

SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Power - Max200mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition7GHz
Gain11.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package3-MINIMOLD
Другое
MfrRenesas
Product StatusLast Time Buy
Series-
Transistor TypeNPN

Документы