NE85633-T1B-A — даташит

Даташиты производителя, руководства и сопутствующая техническая документация.

Transistors - Bipolar (BJT) - RFДокументов в базе: 2

datasheetDatasheet · 2 МБ · 21 сент. 2026 г.

Документы в базе

О компоненте

Партномер: NE85633-T1B-A
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Категория: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Жизненный цикл: Last Time Buy

AI FAEСпросите AI-ассистента по этому даташитуЕсли ответ ссылается на даташит, рядом указана страница — по клику откроется исходный текст.Задать вопрос

Просмотр и скачивание доступны после входа; перед открытием система проверяет доступ.

Проверка доступа по подписке…

ВажноПараметры компонентов и рекомендации по замене необходимо проверять по даташитам производителя, результатам испытаний образцов и требованиям проекта. Ответственность за окончательные решения по проектированию, проверке и закупкам несёт пользователь.