Поиск аналогов электронных компонентов
NXP SemiconductorsНидерланды

RF MOSFET N-CH 68V 4W PLD-1.5

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Drain-Source Voltage (VDSS)-0.5, +68 Vdc
Output Power4 W
Характеристики по постоянному и переменному току
Frequency Range1-2000 MHz
Power Gain (Gps)18 dB (Typ)
Условия эксплуатации и корпус
Operating Junction Temperature (TJ)150 °C
Package / CaseCASE 466-03, STYLE 1 PLD 1.5
Storage Temperature Range (Tstg)-65 to +150 °C
Другое
Drain Efficiency (ηD)33% (Typ)

Документы