MW6S004NT1

RF FET,MOSFET

RF MOSFET N-CH 68V 4W PLD-1.5

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技术参数

电源
Drain-Source Voltage (VDSS)-0.5, +68 Vdc
Output Power4 W
交流 / 直流特性
Frequency Range1-2000 MHz
Power Gain (Gps)18 dB (Typ)
环境与封装
Operating Junction Temperature (TJ)150 °C
Package / CaseCASE 466-03, STYLE 1 PLD 1.5
Storage Temperature Range (Tstg)-65 to +150 °C
其他
Drain Efficiency (ηD)33% (Typ)

技术资料