FUXINSEMI(富芯森美)Китай
MURA110T3G-FS
Single Diodes特性：适用于表面贴装应用。低外形表面贴装应用，以优化电路板空间。内置应力消除设计。超快速恢复时间，高效能。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。符合无卤要求
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения875 mVМакс. · 1A
| Питание | |
|---|---|
| 整流电流 | 1A |
| Другое | |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 875mV@1A |
| 直流反向耐压(Vr) | 100V |
Документы
DatasheetDatasheet · 25.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.1 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.1 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.1 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1020.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 730.7 KB · 2026-09-21
Центр документации