FUXINSEMI(富芯森美)中国

MURA110T3G-FS

单二极管

特性：适用于表面贴装应用。低外形表面贴装应用，以优化电路板空间。内置应力消除设计。超快速恢复时间，高效能。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。符合无卤要求

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反向耐压100 V
平均整流电流1 A
正向压降875 mV

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技术参数

反向耐压100 V
平均整流电流1 A
正向压降875 mV最大 · 1A
电源
整流电流1A
其他
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)875mV@1A
直流反向耐压(Vr)100V

技术资料

数据手册数据手册 · 25.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1020.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 730.7 KB · 2026-09-21
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