Поиск аналогов электронных компонентов

MPSH10

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Power - Max350mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)25V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition650MHz
Gain-
Noise Figure (dB Typ @ f)-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C~150°C(TJ)
PackageBag
Другое
MfrNTE Electronics, Inc
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.