VBsemi(微碧半导体)Китай
LBSS123LT1G-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока260 mA
Сопротивление в открытом состоянии3 ΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V,150mA |
| 数量 | 1个N沟道 |