LBSS123LT1G-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流260 mA
导通电阻3 Ω
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流260 mA
导通电阻3 Ω最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V,150mA |
| 数量 | 1个N沟道 |