IRLR7843TRPBF-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流150 A
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流150 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 108W |