IRLR7843TRPBF-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流120 A
导通电阻3 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流120 A
导通电阻3 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个N沟道 |