VBsemi(微碧半导体)Китай
IRFZ44NSTRLPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока75 A
Сопротивление в открытом состоянии12 mΩМакс. · 4.5V
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250uA
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V |