台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。

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耐压60 V
连续漏极电流75 A
导通电阻12 mΩ
阈值电压3 V

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技术参数

耐压60 V
连续漏极电流75 A
导通电阻12 mΩ最大 · 4.5V
阈值电压3 V最大 · 250uA
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)75A
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
其他
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V

技术资料