VBsemi(微碧半导体)Китай
IRFP044NPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域的功率电子应用。TO247；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Сопротивление в открытом состоянии6 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |