IRFP044NPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域的功率电子应用。TO247；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
沟道N 沟道
耐压60 V
导通电阻6 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压60 V
导通电阻6 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |