HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
IRF8313PBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleIRF8313PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用小巧高效的SOP-8封装，适合各类空间有限且对性能要求高的应用场景。其关键特性包括VDSS耐压值高达30V，可承载11.5A的强大连续漏极电流，确保卓越的电力处理能力。尤其值得一提的是，这款MOS管具备优异的导通电阻性能，仅有10mR的RD(on)，大幅度降低了功耗并提升了系统能效。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока11.5 A
Сопротивление в открытом состоянии22.5 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V |
| 数量 | 2个N沟道 |