IRF8313PBF-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单IRF8313PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用小巧高效的SOP-8封装，适合各类空间有限且对性能要求高的应用场景。其关键特性包括VDSS耐压值高达30V，可承载11.5A的强大连续漏极电流，确保卓越的电力处理能力。尤其值得一提的是，这款MOS管具备优异的导通电阻性能，仅有10mR的RD(on)，大幅度降低了功耗并提升了系统能效。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11.5 A
导通电阻22.5 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11.5 A
导通电阻22.5 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V |
| 数量 | 2个N沟道 |