VBsemi(微碧半导体)Китай
IRF831-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；600V；8A；RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.