HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
IRF7832ZTR-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计,在30V耐压下可承载30A连续电流,其3.3mΩ的极低导通电阻有效抑制了工作时的热量产生。20V的栅极驱动范围使其能灵活适配各类控制电路。凭借出色的开关性能,它非常适用于笔记本电脑主板的供电模块、便携式设备的电池保护电路以及各类紧凑型DC-DC转换器,在有限空间内实现稳定、高效的电能转换。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока30 A
Сопротивление в открытом состоянии3.3 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |