IRF7832ZTR-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计，在30V耐压下可承载30A连续电流，其3.3mΩ的极低导通电阻有效抑制了工作时的热量产生。20V的栅极驱动范围使其能灵活适配各类控制电路。凭借出色的开关性能，它非常适用于笔记本电脑主板的供电模块、便携式设备的电池保护电路以及各类紧凑型DC-DC转换器，在有限空间内实现稳定、高效的电能转换。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流30 A
导通电阻3.3 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流30 A
导通电阻3.3 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |