HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
IRF7341PBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single型号IRF7341PbF 的N+N沟道MOS管采用SOP-8封装，专为高效能、大电流应用设计。该器件的最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID能力为6.5A，胜任高压大电流环境下的稳定运行。导通电阻RD(on)低至32mR，有效减少功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域，是工程师追求高性能、节能解决方案的理想MOS管选择。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока6.5 A
Сопротивление в открытом состоянии48 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 数量 | 2个N沟道 |